SPW17N80C3

· 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
SPW17N80C3
类别
功率MOSFET
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2320pF @ 25V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds800V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)177nC @ 10V
通道数量1Channel
连续漏极电流Id17A
Rds On(Max)@Id,Vgs290mΩ
栅极电压Vgs2.1V
Qg-栅极电荷88nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)227W
高度21.1mm
长度16.13mm
系列CoolMOSC3
FET类型N-Channel
宽度5.21mm
下降时间12ns
上升时间15ns
典型关闭延迟时间72ns
典型接通延迟时间25ns

功率MOSFET   16.13mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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