参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPI11N60CFD
说明	功率MOSFET   10.2mm I2PAK(TO-262)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2024-05-11]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	48nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	125W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
系列	CoolMOSCFD
宽度	4.5mm
下降时间	7ns
上升时间	18ns
典型关闭延迟时间	43ns
典型接通延迟时间	34ns
Rds On(Max)@Id,Vgs	440mΩ
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A
RthJC max	3.8 K/W
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
QG	48.0 nC
Ptot max	125.0W
FET类型	N-Channel
栅极电压Vgs	3V,5V
Mounting	THT
工作温度	-55°C~150°C