参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPB20N60C3
说明	功率MOSFET   10mm
起订量	1
最小包	1
现货	439 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2400pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	114nC @ 10V
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	20.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ
栅极电压Vgs	2.1V
Qg-栅极电荷	87nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	208W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSC3
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
下降时间	4.5ns
上升时间	5ns
典型关闭延迟时间	67ns
典型接通延迟时间	10ns