SPB16N50C3

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
SPB16N50C3
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
通道数量1Channel
漏源极电压Vds500V
连续漏极电流Id16A
Rds On(Max)@Id,Vgs280mΩ
栅极电压Vgs20V
配置Single
Pd-功率耗散(Max)160W
高度4.4mm
长度10mm
系列CoolMOSC3
FET类型N-Channel
宽度9.25mm
下降时间8ns
典型关闭延迟时间50ns
典型接通延迟时间10ns
工作温度-55°C~150°C

功率MOSFET   10mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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