型号参数与资料
- 型号
- SBSP52T1G
- 类别
- 未分类
| FET类型 | NPN - 达林顿 |
|---|---|
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 1A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.3V @ 500µA,500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 2000 @ 500mA,10V |
| 功率 | 4/5W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/外壳 | SOT-223(TO-261) |
未分类 TO-261-4,TO-261AA SOT-223(TO-261)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。