型号参数与资料
- 型号
- RN1105ACT(TPL3)
- 品牌
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别
- 未分类
| FET类型 | NPN - 预偏压 |
|---|---|
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 80mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底（R1） | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极基底（R2） | 47 kOhms |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 80 @ 10mA,5V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA,5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 | 1/10W |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 封装/外壳 | CST3 |
未分类 SC-101,SOT-883 CST3
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