RF4E075ATTCR

ROHM(罗姆) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
RF4E075ATTCR
品牌
ROHM(罗姆)
类别
功率MOSFET
FET类型P-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id7.5A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)22nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1000pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs21.7mΩ@7.5A,10V
工作温度150°C(TJ)
封装/外壳8-PowerUDFN

功率MOSFET   8-PowerUDFN

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。