型号参数与资料
- 型号
- NTMS5P02R2G
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 3.95A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 16V |
| 栅极电压Vgs | ±10V |
| 功率 | 790mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33 毫欧 @ 5.4A,4.5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 7.05A |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1900pF @ 16V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33 毫欧 @ 5.4A,4.5V |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 3.95A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.25V @ 250µA |
未分类 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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