NDFPD1N150CG

ON(安森美) · 通用MOSFET

型号参数与资料

型号
NDFPD1N150CG
品牌
ON(安森美)
类别
通用MOSFET
连续漏极电流Id100mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)4.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)80pF @ 30V
栅极电压Vgs±30V
Pd-功率耗散(Max)2W(Ta),20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs150Ω@50mA,10V
工作温度150°C(TJ)
封装/外壳TO-220-3
封装/外壳TO-220F
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds1500V
连续漏极电流Id0.1A

通用MOSFET   TO-220-3 TO-220F

资料中的环保标注:否。适用声明需核对制造商文件。

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