型号参数与资料
- 型号
- NDB6020P
- 品牌
- Fairchild(仙童)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 24A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1590pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V |
| Pd-功率耗散(Max) | 60W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 50m Ohms@12A,4.5V |
| 工作温度 | -65°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 24A |
通用MOSFET TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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