MSMBJ51CAE3

Microsemi(美高森美) · 未分类

型号参数与资料

型号
MSMBJ51CAE3
品牌
Microsemi(美高森美)
类别
未分类
FET类型齐纳
双向通道1 Ohms
反向对峙电压VRWM51V
击穿电压VBR(min)56.7V
箝位电压VCL(max)82.4V
峰值脉冲电流Ipp7.3A
功率 - 峰值脉冲600W
电源线路保护无
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳DO-214AA,SMB
封装/外壳SMBJ(DO-214AA)

未分类   DO-214AA,SMB SMBJ(DO-214AA)

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。