型号参数与资料
- 型号
- MJD50T4G
- 类别
- 未分类
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 200mA,1A |
|---|---|
| 电流-集电极截止（最大值） | 200µA |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 30 @ 300mA,10V |
| Power-Max | 1.56W |
| 频率-跃迁 | 10MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | DPAK-3 |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 1A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 400V |
未分类 DPAK-3 DPAK
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