参数	值
产品	未分类
型号编码	MJD117-1G
说明	未分类   I-Pak DPAK-3 TO-252-3(DPAK) Tube
起订量	1
最小包	1
现货	396 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	PNP - 达林顿
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	3V @ 40mA,4A
电流-集电极截止（最大值）	20µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 2A,3V
功率	1.75W
频率-跃迁	25MHz
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	I-Pak
封装/外壳	DPAK-3
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	2A
集电极_发射极击穿电压VCEO	100V
最大工作温度	+ 150 C
封装/外壳	TO-252-3 (DPAK)
封装/外壳	Tube
集电极连续电流	2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	200, 500, 1000
最小工作温度	- 65 C
配置	Single
FET类型	P-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO	100 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
最大集电极截止电流	20 uA
功率	20W