型号参数与资料
- 型号
- MJD112-1G
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | NPN - 达林顿 |
|---|---|
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 40mA,4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20µA |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 1000 @ 2A,3V |
| 功率 | 1.75W |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | I-Pak |
| 封装/外壳 | IPAK |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 2A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 100V |
未分类 I-Pak IPAK
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