型号参数与资料
- 型号
- MC34152DR2
- 类别
- 未分类
| 驱动配置 | 低压侧 |
|---|---|
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 6.1 V ~ 18 V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V,2.6V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A,1.5A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 36ns,32ns |
| 工作温度 | 0°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
未分类 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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