型号参数与资料
- 型号
- IXTT20N50D
- 品牌
- IXYS
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 125nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2500pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| FET类型 | 耗尽模式 |
| Pd-功率耗散(Max) | 400W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 330m Ohms@10A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
通用MOSFET TO-268-3,D³Pak(2引线+接片),TO-268AA
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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