型号参数与资料
- 型号
- IXTT16N20D2
- 品牌
- IXYS
- 类别
- 通用MOSFET
| 连续漏极电流Id | 16A(Tc) |
|---|---|
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 208nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5500pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| FET类型 | 耗尽模式 |
| Pd-功率耗散(Max) | 695W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 73m Ohms@8A,0V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
| 封装/外壳 | TO-268 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 连续漏极电流Id | 16A |
通用MOSFET TO-268-3,D³Pak(2引线+接片),TO-268AA TO-268
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。