参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFQ34N50P3
说明	未分类   TO-3P 15.8mm 15.8x4.9x20.3mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	638 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	34 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	175 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-3P
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	695 W
系列	HiperFET, Polar3
高度	20.3mm
宽度	4.9mm
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	3260 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	23 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	15.8mm
封装/外壳	15.8 x 4.9 x 20.3mm