IXFH20N50P3

IXYS · 未分类

型号参数与资料

型号
IXFH20N50P3
品牌
IXYS
类别
未分类
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id20 A
漏源极电压Vds500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs300 m0hms
栅极电压Vgs5V
栅极电压Vgs±30V
封装/外壳TO-247
引脚数目3
晶体管配置单
FET类型增强
类别功率 MOSFET
功率380 W
最低工作温度-55 °C
最高工作温度+150 °C
长度16.26mm
高度21.46mm
系列HiperFET, Polar3
封装/外壳16.26 x 5.3 x 21.46mm
每片芯片元件数目1 Ohms
漏源极电压Vds1800 pF @ 25 V
典型关断延迟时间43 ns
典型接通延迟时间10 ns
宽度5.3mm
晶体管材料Si

未分类   TO-247 16.26mm 16.26x5.3x21.46mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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