IXBH5N160G

IXYS · 通用MOSFET

型号参数与资料

型号
IXBH5N160G
品牌
IXYS
类别
通用MOSFET
系列BIMOSFET™
电压-集射极击穿(最大值)1600V
电流-集电极(Ic)(最大值)5.7A
不同 Vge,Ic时的 Vce(on)7.2V @ 15V,3A
Pd-功率耗散(Max)68W
输入类型标准
测试条件960V,3A,47 欧姆,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳TO-247AD(IXBH)

通用MOSFET   TO-247AD(IXBH)

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。