型号参数与资料
- 型号
- IRS2509SPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 集成电路(芯片)
| 驱动配置 | 半桥 |
|---|---|
| FET类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V,2.2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 200mA,350mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
| 上升/下降时间（典型值） | 150ns,50ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOIC 8N |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 电动机类型 | 直流 |
| 最大IGBT集电极电流 | 0.35A |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V |
| 封装/外壳 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大工作电源电压 | 20 V |
| 最小工作电源电压 | 10 V |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 宽度 | 4mm |
| 长度 | 5mm |
| 高度 | 1.50mm |
| 封装/外壳 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 最高工作温度 | +125 °C |
集成电路(芯片) SOIC8N 8-SOIC SOIC 5mm 5x4x1.5mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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