型号参数与资料
- 型号
- IRLR9343PBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 55V |
| 连续漏极电流Id | 20A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 47nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 660pF @ 50V |
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105 毫欧 @ 3.4A,10V |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D-Pak |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | P-Channel |
| 连续漏极电流Id | 20 A |
| 漏源极电压Vds | 55 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105 m0hms |
| 栅极电压Vgs | 1V |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 长度 | 6.73mm |
| 高度 | 2.39mm |
| 系列 | HEXFET |
| 宽度 | 6.22mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 660 pF@ 50 V |
| 典型关断延迟时间 | 21 ns |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns |
| 封装/外壳 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
通用MOSFET D-Pak DPAK DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.39mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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