参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRLR9343PBF
说明	通用MOSFET   D-Pak DPAK DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.39mm
品牌	Infineon(英飞凌)
现货	294 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	20A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	47nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	79W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	105 毫欧 @ 3.4A,10V
工作温度	-40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D-Pak
封装/外壳	DPAK
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	105 m0hms
栅极电压Vgs	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	6.73mm
高度	2.39mm
系列	HEXFET
宽度	6.22mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	660 pF@ 50 V
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	9.5 ns
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.39mm