型号参数与资料
- 型号
- IRLR8256TRPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1470pF @ 13V |
| Pd-功率耗散(Max) | 63W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1470pF @ 13V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7mΩ@25A,10V |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 连续漏极电流Id | 81A |
| 封装/外壳 | D-Pak |
功率MOSFET D-Pak
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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