型号参数与资料
- 型号
- IRLR6225PBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V |
|---|---|
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3770pF @ 10V |
| 工作温度 | -50°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 100A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.2mΩ |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 63W |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 宽度 | 6.22mm |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型关断延迟时间 | 63 ns |
| 典型接通延迟时间 | 9.7 ns |
| 高度 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm |
功率MOSFET 6.73mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。