型号参数与资料
- 型号
- IRL8113STRLPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | HEXFET® |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 105A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF @ 15V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@21A,10V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 105A |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 15V |
通用MOSFET D2PAK D2PAK D2PAK
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