型号参数与资料
- 型号
- IRFR812
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2200mΩ |
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Tj max | 150.0°C |
| QG | 13.3nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.29 |
| Ptot max | 78.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 4.8nC |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Mounting | SMD |
| RthJC max | 1.6K/W |
| 连续漏极电流Id | 3.6A |
通用MOSFET DPAK(TO-252)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。