IRFP4227PBF

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRFP4227PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4600pF @ 25V
工作温度-40°C~175°C(TJ)
系列HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)98nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)4600pF @ 25V
封装/外壳TO-247AC
通道数量1Channel
漏源极电压Vds200V
连续漏极电流Id65A
Rds On(Max)@Id,Vgs25mΩ
栅极电压Vgs30V
Qg-栅极电荷70nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)330W
高度20.7mm
长度15.87mm
FET类型N-Channel
宽度5.31mm
正向跨导 - 最小值49S
下降时间31ns
上升时间20ns
典型关闭延迟时间21ns
典型接通延迟时间33ns

功率MOSFET   TO-247AC 15.87mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。