型号参数与资料
- 型号
- IRFH8201
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.95mΩ |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 封装/外壳 | PQFN 5 x 6 B |
| QG | 56.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.79 |
| Ptot max | 156.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 18.0nC |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 3.6W |
| Mounting | SMD |
| RthJC max | 0.8K/W |
| 连续漏极电流Id | 324A |
通用MOSFET PQFN5x6B
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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