IRFB4620PBF

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRFB4620PBF
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1710pF @ 50V
工作温度-55°C~175°C(TJ)
系列HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1710pF @ 50V
封装/外壳TO-220AB
通道数量1Channel
漏源极电压Vds200V
连续漏极电流Id25A
Rds On(Max)@Id,Vgs72.5mΩ
栅极电压Vgs20V
Qg-栅极电荷25nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)144W
高度15.65mm
长度10mm
FET类型N-Channel
宽度4.4mm
正向跨导 - 最小值37S
下降时间14.8ns
上升时间22.4ns
典型关闭延迟时间25.4ns
典型接通延迟时间13.4ns

功率MOSFET   TO-220AB 10mm

资料中的环保标注:否。适用声明需核对制造商文件。

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