参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFB42N20DPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB
起订量	50
最小包	50
现货	510 [库存更新时间：2024-05-03]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	140nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3430pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Ta),330W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	140nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3430pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	55mΩ@26A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	44A
封装/外壳	TO-220AB