型号参数与资料
- 型号
- IRF9953PBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 未分类
| 封装/外壳 | SOIC |
|---|---|
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 2.3A |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| FET类型 | 标准 |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 2.3A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250 毫欧 @ 1A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 190pF @ 15V |
| 功率 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO8 |
| 封装/外壳 | 8-SO |
未分类 SOIC SO8 8-SO
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。