IRF9540NPBF

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRF9540NPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
系列HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)97nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1300pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs117mΩ@11A,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
FET类型P-Channel
连续漏极电流Id23A
漏源极电压Vds100V
封装/外壳TO-220AB

功率MOSFET   TO-220AB

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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