型号参数与资料
- 型号
- IRF9520NPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 25V |
| 系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 25V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 480mΩ@4A,10V |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 6.8A |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
通用MOSFET TO-220AB
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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