型号参数与资料
- 型号
- IRF9333TRPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA |
|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1110pF @ 25V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19.4mΩ@9.2A,10V |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 9.2A |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V |
功率MOSFET 8-SO
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。