型号参数与资料
- 型号
- IRF8910PBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 未分类
| 封装/外壳 | SOIC |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 10A |
| FET类型 | 2N-Channel |
| FET类型 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 10A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 13.4 毫欧 @ 10A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.55V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 960pF @ 10V |
| 功率 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO8 |
| 封装/外壳 | 8-SO |
未分类 SOIC SO8 8-SO
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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