型号参数与资料
- 型号
- IRF7665S2TRPBF
- 类别
- 功率MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 4.1A(Ta),14.4A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 515pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Ta),30W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 62mΩ@8.9A,10V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | MG-WDSON-4 |
功率MOSFET MG-WDSON-4
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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