型号参数与资料
- 型号
- IRF7509TRPBF
- 类别
- 功率MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110mΩ@1.7A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 2.7A,2A |
| 封装/外壳 | Micro8™ |
功率MOSFET Micro8™
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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