参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF7422D2PBF
说明	未分类   8-SO 8-SOIC
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	610pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	2W
Rds On(Max)@Id,Vgs	90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	8-SOIC