型号参数与资料
- 型号
- IRF7353D2PBF
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 6.5A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 650pF @ 25V |
| FET类型 | 肖特基二极管(隔离式) |
| 功率 | 2W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 29 毫欧 @ 5.8A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
未分类 8-SO 8-SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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