参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6665TRPBF
说明	功率MOSFET   DIRECTFET™SH
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2025-04-14]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	530pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.2W(Ta),42W(Tc)
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	530pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	62mΩ@5A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	4.2A
封装/外壳	DIRECTFET™ SH