型号参数与资料
- 型号
- IRF630NPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 系列 | HEXFET® |
|---|---|
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 35nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 575pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 连续漏极电流Id | 9.3A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 300mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 23.3nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 82W |
| 高度 | 15.65mm |
| 长度 | 10mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 4.4mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 4.9S |
| 下降时间 | 15ns |
| 上升时间 | 14ns |
| 典型关闭延迟时间 | 27ns |
| 典型接通延迟时间 | 7.9ns |
功率MOSFET TO-220AB 10mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。