参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF630NPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-06-04]
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	575pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	9.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	300mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	23.3nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	82W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm
正向跨导 - 最小值	4.9S
下降时间	15ns
上升时间	14ns
典型关闭延迟时间	27ns
典型接通延迟时间	7.9ns