参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6201TRPBF
说明	功率MOSFET   5mm
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2024-06-06]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	195nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8555pF @ 16V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	16V
连续漏极电流Id	27A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7mΩ
最小栅阈值电压	0.5V
引脚数目	8
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	4mm
系列	HEXFET
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	320 ns
典型接通延迟时间	29 ns
长度	5mm