型号参数与资料
- 型号
- IR2085S
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用芯片
| 驱动配置 | 半桥 |
|---|---|
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 10 V ~ 15 V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1A,1A |
| 输入类型 | RC 输入电路 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 100V |
| 上升/下降时间（典型值） | 40ns,20ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| Moisture Level | 2 |
| Topology | Half Bridge |
| Qualification | Industrial |
| Channels | 2.0 |
| Output Current (Source) | 1.0A |
| Budgetary Price €/1k | 1.39 |
| Output Current (Sink) | 1.0A |
| Switch Type | IGBT,MOS |
| Turn On Propagation Delay (max) | 40.0ns (60.0ns) |
| Isolation | Functional levelshift |
| Voltage Class | 100.0V |
| Switching Frequency max | 500.0kHz |
通用芯片 8-SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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