型号参数与资料
- 型号
- IR2011STRPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 门驱动器
| 封装/外壳 | SOIC 8N |
|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.7V,2.2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 1A,1A |
| 输入类型 | 反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 200V |
| 上升/下降时间（典型值） | 35ns,20ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.7V,2.2V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1A,1A |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 200V |
| 激励器数量 | 2Driver |
| 输出电流 | 1A |
| 上升时间 | 50ns |
| 下降时间 | 35ns |
| 电源电压-最大 | 20V |
| 电源电压-最小 | 10V |
| 传播延迟—最大值 | 80ns |
| 特点 | Independent |
| 高度 | 1.50mm |
| 长度 | 5mm |
| 输出端数量 | 2Output |
| 宽度 | 4mm |
| 逻辑类型 | CMOS,TTL |
| 最大关闭延迟时间 | 75ns |
| 最大开启延迟时间 | 80ns |
| 工作电源电流(mA) | 230uA |
| 功率 | 5/8W |
门驱动器 SOIC8N 5mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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