IPW50R280CEFKSA1

Infineon(英飞凌) · 通用MOSFET

型号参数与资料

型号
IPW50R280CEFKSA1
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
通用MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds500V
连续漏极电流Id13A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)32.6nC @ 10V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)773pF @ 100V
FET类型超级结
Pd-功率耗散(Max)92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs280 毫欧 @ 4.2A,13V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳PG-TO247-3
封装/外壳PG-TO247-3
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id13 A
漏源极电压Vds550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs280 m0hms
栅极电压Vgs±30V
封装/外壳TO-247
晶体管配置单
引脚数目3
FET类型增强
类别功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)92W
最低工作温度-55 °C
长度16.13mm
高度21.1mm
正向二极管电压0.85V
系列CoolMOS CE
封装/外壳16.13 x 5.21 x 21.1mm
最高工作温度+150 °C
漏源极电压Vds773 pF @ 100 V
典型关断延迟时间40 ns
典型接通延迟时间8 ns
宽度5.21mm
每片芯片元件数目1 Ohms
晶体管材料Si

通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.13mm 16.13x5.21x21.1mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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