型号参数与资料
- 型号
- IPU80R1K0CE
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| Qg-栅极电荷 | 31nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 83W |
| 高度 | 6.22mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 系列 | CoolMOSCE |
| 宽度 | 2.38mm |
| 下降时间 | 8ns |
| 上升时间 | 15ns |
| 典型关闭延迟时间 | 72ns |
| 典型接通延迟时间 | 25ns |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 950mΩ |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 5.7A |
| RthJC max | 1.5 K/W |
| QG (typ @10V) | 31.0 nC |
| 封装/外壳 | IPAK (TO-251) |
| Budgetary Price €/1k | 0.63 |
| Ptot max | 83.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins |
| RthJA max | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V |
| Mounting | THT |
| Special Features | price/performance |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
功率MOSFET 6.73mm IPAK(TO-251)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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