型号参数与资料
- 型号
- IPP65R190CFD
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 17.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| Qg-栅极电荷 | 68nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 151W |
| 高度 | 15.65mm |
| 长度 | 10mm |
| 系列 | CoolMOSCFD2 |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 4.4mm |
| 下降时间 | 6.4ns |
| 上升时间 | 8.4ns |
功率MOSFET 10mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。