型号参数与资料
- 型号
- IPN80R600P7
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 连续漏极电流Id | 8A |
|---|---|
| QG (typ @10V) | 20.0 nC |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
| Budgetary Price €/1k | 0.49 |
| Ptot max | 7.4 W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 8.0 nC |
| IDpuls max | 22.0 A |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
| Mounting | SMT |
| Coss | 11.0 pF |
| Ciss | 570.0 pF |
| RthJA max | 160.0 K/W |
| Special Features | price/performance |
通用MOSFET SOT-223
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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