型号参数与资料
- 型号
- IPN80R1K4P7
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1400mΩ |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 4A |
| QG (typ @10V) | 10.0 nC |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
| Budgetary Price €/1k | 0.28 |
| Ptot max | 7.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 5.0 nC |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| RthJA max | 160.0K/W |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
| Mounting | SMT |
| Special Features | price/performance |
通用MOSFET SOT-223
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。