型号参数与资料
- 型号
- IPN50R650CEATMA1
- 类别
- 功率MOSFET
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 9A(Tc) |
|---|---|
| FET类型 | N 通道 |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 650 毫欧 @ 1.8A,13V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150uA |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 342pF @ 100V |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
| 功率耗散(最大值) | 5W(Tc) |
| 封装/外壳 | SOT-223-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 13V |
功率MOSFET SOT-223-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。